Графік роботи:

Пн - Пт: 10:00–19:00

Сб - Нд: 11:00–17:00

Додайте товари для порівняння
Додайте товари до списку бажань
0
Додайте товари до кошика

SSD накопичувач Samsung 9100 PRO 4 TB with Heatsink (MZ-VAP4T0CW)

Артикул MZ-VAP4T0CW
В наявності
36 649 грн
Увійдіть на сайт щоб
додати товар в список бажань
%
Увійти для відображення накопичувальної знижки
Опис

SSD накопичувач Samsung 9100 PRO 4 TB with Heatsink (MZ-VAP4T0CW) створений для систем, де важливі швидкість, стабільність під навантаженням і місткий обсяг для файлів, проєктів та ігор. Форм-фактор M.2 та інтерфейс M.2 (PCI-E 5.0 x4) забезпечують високу пропускну здатність, а комплектація з радіатором допомагає краще керувати температурним режимом.

Швидке читання/запис для продуктивної роботи

Модель підтримує послідовну швидкість читання до 14 800 МБ/с і запису до 13 400 МБ/с. Це дає відчутний виграш у сценаріях, де потрібно швидко переносити великі обсяги даних: проєкти з відео, архіви, бібліотеки контенту. Високі параметри корисні і для створення контенту, і для інтенсивної роботи з диском у робочих станціях.

Надійна основа для щоденних навантажень

За заявленими характеристиками швидкість випадкового читання 4K сягає 2 200 000 IOPS, а запису — до 2 600 000 IOPS. Такі показники допомагають зменшити затримки під час запуску застосунків, завантаження рівнів у іграх та активної роботи з багатьма файлами одночасно. Для користувача це зазвичай означає більш плавну взаємодію системи з накопичувачем.

PCI-E 5.0 x4: максимум швидкості в сумісних системах

Інтерфейс M.2 (PCI-E 5.0 x4) дозволяє розкрити потенціал SSD у платформах, що підтримують PCIe 5.0 та NVMe. Форм-фактор M.2 2280 спрощує встановлення у сучасні ноутбуки та ПК, де є відповідний слот. Підходить для апгрейду продуктивності без переходу на громіздкі рішення з іншим типом підключення.

V-NAND TLC і TRIM для керування даними

Використовується флеш-пам’ять V-NAND TLC. Підтримка TRIM допомагає операційній системі коректніше керувати блоками даних, особливо при видаленні файлів і повторному записі. Це позитивно впливає на підтримку стабільної продуктивності впродовж часу експлуатації.

Samsung 4GB Low Power DDR4X: буфер для швидкого доступу

Модель використовує DRAM-буфер Samsung 4GB Low Power DDR4X. Буфер прискорює роботу контролера з даними та допомагає ефективніше обробляти запити, коли навантаження на накопичувач пікове. Це актуально для задач, де система одночасно працює з великими файлами та виконує багато операцій з диском.

Dynamic Thermal Guard та радіатор для контрольованих температур

Система Dynamic Thermal Guard підтримує керування температурним режимом під навантаженням. У комплекті передбачено радіатор (Heatsink), що допомагає відводити тепло й зберігати продуктивність у сценаріях тривалого запису або тривалих сесій. Це зручно для робочих станцій і ігрових збірок, де SSD може інтенсивно працювати годинами.

Енергоефективність і захист даних

Оптимізоване енергоспоживання знижує тепловиділення та сприяє стабільній роботі. Додатково передбачено захист 256-бітовим паролем AES, який корисний для конфіденційних файлів та захисту даних. У підсумку накопичувач працює швидко, але без зайвого перевантаження системи по теплу та енергії.

Керування сумісністю та встановленням

Samsung 9100 PRO 4 TB with Heatsink сумісний з NVMe-системами та використовує M.2 (PCI-E 5.0 x4). Перед установленням варто перевірити наявність M.2-слота підтримкою PCIe 5.0 і NVMe, а також щоб по габаритах радіатор відповідав корпусу або конструкції ноутбука. Правильне встановлення та надійний контакт забезпечують коректний тепловідвід і максимальну швидкість у межах можливостей платформи.

Підсумок

SSD Samsung 9100 PRO 4 TB with Heatsink (MZ-VAP4T0CW) поєднує ємність 4 ТБ, швидкості до 14 800/13 400 МБ/с та інтерфейс PCIe 5.0 x4. Підходить для систем, де потрібні висока продуктивність, швидкий відгук на операції з даними та контроль температур завдяки радіатору й технології Dynamic Thermal Guard.

Новий відгук або коментар
Увійти за допомогою
Оцініть товар
Характеристики
Бренд Samsung
Тип SSD накопичувач
Об'єм пам'яті, ГБ 4000
Інтерфейс: M.2 (PCI-E 5.0 x4)
Поддержка TRIM: Є
Тип флеш-памяти: V-NAND TLC
Максимальна швидкість читання, МБ/с 14800
Максимальна швидкість запису, МБ/с 13400
Примітки Samsung 4GB Low Power DDR4X, Захист 256-бітовим паролем AES, система Dynamic Thermal Guard

Ми дбаємо про вашу конфіденційність

Цей веб-сайт використовує файли cookie для маркетингу та статистичних цілей, а також для безпечної та оптимальної роботи сайту. Ви можете змінити це в налаштуваннях вашого браузера. Натисніть кнопку «Погодитися», щоб дати згоду на використання файлів cookie. Детальніше можна ознайомитися на сторінці Угода користувача.